2016年7月2日 星期六

A Damage-Reduced Process Revealed by Photoluminescence in Photoelectrochemical Etching GaN

A Damage-Reduced Process Revealed by Photoluminescence in Photoelectrochemical Etching GaN
2000  J.M. Hwang, J. T. Hsieh, H. L. Hwang and W. H. Hung



  • Conference papers (會議發表):
            A Damage-Reduced Process Revealed by Photoluminescence in Photoelectrochemical Etching GaN, J.M. Hwang, J. T. Hsieh, H. L. Hwang and W. H. Hung, GaN and related alloy 595S, MRS proceeding (2000) (poster)

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位置： 300台灣新竹市

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